鎧裝鉑熱波膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡(jiǎn)單介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用先進(jìn)的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻
的詳細(xì)介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻
熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化�？捎糜跍y(cè)量 -200℃～﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點(diǎn)是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
WZPK466U鎧裝鉑熱波膜電阻，WZPK-466U,的詳細(xì)資料：
1． 測(cè)溫范圍、允差
名稱(chēng) 型號(hào) 分度號(hào) 測(cè)溫范圍 等級(jí) 允許偏差
鉑電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅電阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
名稱(chēng) 等級(jí) α α
鉑電阻 A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?5-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
一、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用先進(jìn)的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，完全自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品完全符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
型號(hào) 規(guī)格
長(zhǎng)×寬×高 阻值 測(cè)量電流 精度 測(cè)量范圍 熱響應(yīng)時(shí)間
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等級(jí) α 0℃時(shí)的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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